规格书 |
MTW32N20E |
文档 |
Multiple Devices 30/Mar/2012 |
产品更改通知 | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
标准包装 | 30 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 200V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 32A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 75 mOhm @ 16A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 120nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5000pF @ 25V |
功率 - 最大 | 180W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247 |
包装材料 | Tube;;其他的名称; |
associated | 657-25ABPE |
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